[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
申请号: | 201210369546.5 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103035285B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 金宽东 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 石卓琼,郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法,所述半导体存储器件包括时钟周期反映器,所述时钟周期反映器被配置成将与内部时钟信号的周期信息相对应的时间反映到输入数据信号;数据时钟变换器,所述数据时钟变换器被配置成产生具有与时钟周期反映器的输出信号相对应的相位的同步时钟信号;以及同步输出单元,所述同步输出单元被配置成响应于同步时钟信号而使输入数据信号同步并输出所述输入数据信号。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:时钟周期反映器,所述时钟周期反映器被配置成将与内部时钟信号的周期信息相对应的时间反映到输入数据信号;数据时钟变换器,所述数据时钟变换器被配置成产生具有与所述时钟周期反映器的输出信号相对应的相位的同步时钟信号;以及同步输出单元,所述同步输出单元被配置成响应于所述同步时钟信号而使所述输入数据信号同步并输出所述输入数据信号,其中,所述数据时钟变换器包括:相位检测器,所述相位检测器被配置成检测所述同步时钟信号和所述时钟周期反映器的输出信号的相位;控制电压发生器,所述控制电压发生器被配置成产生与所述相位检测器的输出信号相对应的控制电压;以及压控延迟线,所述压控延迟线被配置成将所述内部时钟信号延迟与所述控制电压相对应的时间,以产生所述同步时钟信号。
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