[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

时钟周期反映器，所述时钟周期反映器被配置成将与内部时钟信号的周期信息相对应的时间反映到输入数据信号；

数据时钟变换器，所述数据时钟变换器被配置成产生具有与所述时钟周期反映器的输出信号相对应的相位的同步时钟信号；以及

同步输出单元，所述同步输出单元被配置成响应于所述同步时钟信号而使所述输入数据信号同步并输出所述输入数据信号。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述时钟周期反映器被配置成将所述输入数据信号延迟与所述周期信息相对应的时间，以输出延迟的输入数据信号。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述输入数据信号被延迟比与所述内部时钟信号的一个周期相对应的时间小的时间。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括内部时钟信号发生器，所述内部时钟信号发生器被配置成产生所述内部时钟信号，以产生与所述内部时钟信号相对应的所述周期信息。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述内部时钟信号发生器包括：

相位频率检测器，所述相位频率检测器被配置成检测与外部时钟信号相对应的参考时钟信号和所述内部时钟信号的相位频率；

控制电压发生器，所述控制电压发生器被配置成产生与所述相位频率检测器的输出信号相对应的控制电压；以及

压控振荡器，所述压控振荡器被配置成产生具有与所述控制电压相对应的频率的所述内部时钟信号。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述周期信息与所述控制电压相对应。

7.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述压控振荡器还包括多个延迟单元，所述多个延迟单元具有与所述控制电压相对应的延迟时间。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述时钟周期反映器被配置成对所述延迟单元进行建模。

9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述时钟周期反映器包括：

多个延迟单元，所述多个延迟单元被配置成具有与所述周期信息相对应的延迟时间；以及

输出单元，所述输出单元被配置成将所述多个延迟单元之中的相应延迟单元的输出信号输出到所述数据时钟变换器。

10.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述数据时钟变换器包括：

相位检测器，所述相位检测器被配置成检测所述同步时钟信号和所述时钟周期反映器的输出信号的相位；

控制电压发生器，所述控制电压发生器被配置成产生与所述相位检测器的输出信号相对应的控制电压；以及

压控延迟线，所述压控延迟线被配置成将所述内部时钟信号延迟与所述控制电压相对应的时间，以产生所述同步时钟信号。

11.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述相位检测器包括：

第一激活边沿检测器，所述第一激活边沿检测器被配置成检测所述时钟周期反映器的输出信号的激活边沿；以及

第二激活边沿检测器，所述第二激活边沿检测器被配置成检测所述同步时钟信号的激活边沿。

12.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述第一激活边沿检测器和第二激活边沿检测器被配置成被设定/复位由所述第一激活边沿检测器和所述第二激活边沿检测器的输出信号限定的时段。

13.如权利要求12所述的半导体存储器件，还包括：

第三激活边沿检测器，所述第三激活边沿检测器被配置成通过检测所述输入数据信号的激活边沿而产生复位信号，

其中，所述第二激活边沿检测器响应于所述复位信号而被复位。

14.一种操作半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

通过根据延迟控制信号控制延迟量，来产生内部时钟信号；

将输入数据信号延迟与所述延迟控制信号相对应的时间；

产生同步时钟信号，所述同步时钟信号与通过将所述输入数据信号延迟而获得的输出信号的激活边沿相对应；以及

响应于所述同步时钟信号而使所述输入数据信号同步。

15.如权利要求14所述的方法，其中，将所述输入数据信号延迟比与所述内部时钟信号的一个周期相对应的时间小的时间。