[发明专利]具有高沟道迁移率的SiC-MOSFET有效
| 申请号： | 201210345929.9 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103000670B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 安东·毛德;罗兰·鲁普;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体装置（100）具有SiC（碳化硅）制成的半导体本体（101）以及场效应晶体管。场效应晶体管具有形成在SiC制成的半导体本体（101）内的漂移区（102）以及半导体本体（101）上的多晶硅层（103），其中，多晶硅层（103）具有10nm至50μm的范围内的平均粒度，并且包括源区（103s）以及体区（103b）。此外，场效应晶体管具有与体区（103b）邻接的栅结构（104）。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 半导体本体 多晶硅层 体区 半导体装置 沟道迁移率 平均粒度 邻接 漂移区 碳化硅 栅结构 源区 | ||
【主权项】：
半导体装置，包括：SiC制成的半导体本体；场效应晶体管，所述场效应晶体管具有：形成在SiC制成的所述半导体本体内的漂移区(102)；在所述漂移区内的SiC屏蔽区(106)；所述半导体本体上的多晶硅层，其中，所述多晶硅层具有10nm至50μm的范围内的平均粒度并且包括源区(103s)以及体区(103b)；以及与所述体区(103b)邻接的栅结构，其中，所述屏蔽区(106)通过电触点与所述源区电接触，其中，所述多晶硅层的厚度d位于0.5μm至3μm的范围内，并且在所述体区中能够通过场效应控制的沟道在垂直方向上延伸其中，所述场效应晶体管是沟槽晶体管，所述沟槽晶体管具有从所述多晶硅层的表面伸入至所述多晶硅层内并且终止在所述多晶硅层内的沟槽，所述沟槽具有形成在其内的栅结构。
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