[发明专利]一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210341509.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832241A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;赵子奇;马坤华;尹江龙;张新川;罗谦;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/812;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 孙国栋 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成的源极，漏极和栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，在氮化镓（GaN）沟道层和氮化铝（AlN）成核层之间还设有横向p-n结复合缓冲层以抑制缓冲层内的载流子输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压与输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 横向 复合 缓冲 结构 氮化 镓基异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有横向p‑n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下到上主要包括有衬底（209），氮化铝（AlN）成核层（208），氮化镓（GaN）沟道层（206），氮化铝（AlN）插入层（205），势垒层（204）以及势垒层（204）上形成的源极（201），漏极（202）和栅极（203），其中源极（201）和漏极（202）与势垒层（204）形成欧姆接触，栅极（203）与势垒层（204）形成肖特基接触，其特征在于：在氮化镓（GaN）沟道层（206）和氮化铝（AlN）成核层（208）之间还设有一层由n型铝铟镓氮（n‑AlxInyGazN）和p型铝铟镓氮（p‑ AlxInyGazN）横向排列复合而成的缓冲层，简称横向p‑n结复合缓冲层（207）。
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