[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210322628.4 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681496A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供形成有栅极结构的半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；步骤S102：在所述半导体衬底上形成第一氮化硅薄膜，并在所述第一氮化硅薄膜之上的NMOS区域形成图案化的光刻胶；步骤S103：形成PMOS的第一主间隙侧壁层；步骤S104：蚀刻所述半导体衬底以在所述PMOS区域的栅极结构的两侧形成凹槽；步骤S105：剥离NMOS区域的光刻胶，并进行预清洗；步骤S106：在所述凹槽中形成锗硅层；步骤S107：形成NMOS的第一主间隙侧壁层。该方法可以有效避免由于氧扩散入界面层和高k介电层导致的氧化层等效厚度增大问题，而且可以解决锗硅的非正常生长问题，避免因此造成的电流泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供形成有栅极结构的半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；步骤S102：在所述半导体衬底上形成第一氮化硅薄膜，并在所述第一氮化硅薄膜之上的NMOS区域形成图案化的光刻胶；步骤S103：蚀刻所述第一氮化硅薄膜在所述PMOS区域的栅极结构的两侧形成PMOS的第一主间隙侧壁层；步骤S104：蚀刻所述半导体衬底以在所述PMOS区域的栅极结构的两侧形成凹槽；步骤S105：剥离NMOS区域的光刻胶，并进行预清洗；步骤S106：在所述凹槽中形成锗硅层；步骤S107：蚀刻所述第一氮化硅薄膜在所述NMOS区域的栅极结构的两侧形成NMOS的第一主间隙侧壁层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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