[发明专利]提高高压LDMOS器件击穿电压的结构无效
| 申请号： | 201210283176.3 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103579313A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 宁开明;董科;武洁;董金珠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高高压LDMOS器件击穿电压的结构，所述LDMOS器件的硅衬底上形成由深阱构成的漂移区；深阱中形成有场氧化层，场氧化层下方形成有一埋层，靠近漏区的一侧场氧化层上形成有漏区多晶场板，另一侧形成有栅极多晶场板；硅衬底中形成一阱区，阱区内形成由第一掺杂区组成的源区，深阱中形成由第二掺杂区组成的漏区；第一掺杂区通过源区金属场板引出源极，漏区通过漏区金属场板与漏区多晶场板相连；源区金属场板与漏区金属场板之间形成有栅极金属场板；漂移区上方还形成有至少一条场板。本发明可以改变电场分布，提高漂移区的电场强度，同时对源漏两端的电场强度影响较小，使器件的整个电场积分面积增大，有效地提高了高压LDMOS器件的耐压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 高压 ldmos 器件 击穿 电压 结构 | ||
【主权项】：
一种提高高压LDMOS器件击穿电压的结构，其特征在于：所述LDMOS器件包括具有第一导电类型的硅衬底，在硅衬底上形成一具有与第一导电类型相反的第二导电类型的深阱，所述深阱构成漂移区；深阱中形成有场氧化层，场氧化层下方形成有具有第一导电类型的埋层，靠近漏区的一侧场氧化层上形成有漏区多晶场板，另一侧场氧化层上形成有栅极多晶场板；所述硅衬底中形成具有第一导电类型的阱区，阱区内形成由第二导电类型的第一掺杂区组成的源区，深阱中形成由第二导电类型的第二掺杂区组成的漏区；所述第一掺杂区通过源区金属场板引出源极，第二掺杂区通过漏区金属场板与漏区多晶场板相连；源区金属场板与漏区金属场板之间形成有栅极金属场板；漂移区上方还形成有至少一条场板。
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