[发明专利]一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201210264710.6 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103579371A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽终端结构肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽结构的终端，在器件中没有第二传导类型半导体材料，通过沟槽结构减缓器件反向偏压时在肖特基边缘电场的集中，简化了器件的制造流程；同时杜绝了传统器件在正向导电时第二传导类型半导体材料向漂移区少子的注入，提高了器件高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 终端 结构 肖特基 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽终端结构肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为第一传导类型半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；一个或多个沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内设置有绝缘材料；肖特基势垒结，位于器件中心漂移层表面。
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