[发明专利]一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽终端结构肖特基器件，其特征在于：包括：

衬底层，为第一传导类型半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；一个或多个

沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内设置有绝缘材料；

肖特基势垒结，位于器件中心漂移层表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽的宽度小于等于3微米。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内设置的绝缘材料可以为具有高界面态的绝缘材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内设置的绝缘材料可以为化学配比失配绝缘材料。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述的化学配比失配绝缘材料，为化合物绝缘材料，其化合物元素配比为非饱和状态，即不能满足绝缘材料中原子最外层电子数量为8个。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的多个沟槽之间的漂移层表面可以为浮空的肖特基势垒结。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：所述的浮空的肖特基势垒结表面可以覆盖浮空金属。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的多个沟槽之间的漂移层表面也可以为绝缘材料覆盖。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的器件中心的肖特基势垒结被沟槽包围。

10.如权利要求1所述的一种沟槽终端结构肖特基器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层；

2）在表面形成第一绝缘材料层，在待形成沟槽区域表面去除第一绝缘材料层；

3）进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；

4）在沟槽内形成第二绝缘材料层，腐蚀去除器件表面第一钝化层；

5）在器件表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结；

6）上表面淀积电极金属，进行光刻腐蚀去除部分电极金属；

7）进行背面金属化工艺，在衬底层背面形成电极金属。