[发明专利]半导体器件

摘要

为了提供具有改善特性的具有SRAM存储器单元的半导体器件。在其中布置包括SRAM的驱动晶体管的有源区域下方，经由绝缘层提供通过元件隔离区域围绕的n型背栅区域。其耦合到驱动晶体管的栅极电极。提供p阱区域，该p阱区域布置在n型背栅区域下方并且至少部分地延伸到比元件隔离区域更深的位置。其固定在接地电势。这种配置使得当晶体管处于导通状态时可以控制晶体管的阈值电势为高并且当晶体管处于截止状态时可以控制晶体管的阈值电势为低；并且控制使得向p阱区域与n型背栅区域之间的PN结施加正向偏压。

主权项

一种半导体器件，包括：(a1)第一晶体管，耦合在第一电势和第一节点之间；(a2)第二晶体管，耦合在所述第一节点和比所述第一电势低的第二电势之间；(a3)第三晶体管，耦合在所述第一电势和第二节点之间；(a4)第四晶体管，耦合在所述第二节点和所述第二电势之间；(b1)第一有源区域，其由元件隔离区域围绕并且其中将布置所述第一晶体管；(b2)第二有源区域，其由所述元件隔离区域围绕并且其中将布置所述第二晶体管；(c)绝缘层，布置在所述第一有源区域和所述第二有源区域下方；(d1)第一半导体区域，经由所述绝缘层布置在所述第一有源区域下方并且由所述元件隔离区域围绕；(d2)第二半导体区域，经由所述绝缘层布置在所述第二有源区域下方并且由所述元件隔离区域围绕；(e1)第三半导体区域，布置在所述第一半导体区域下方并且至少部分地延伸到比所述元件隔离区域更深的位置；以及(e2)第四半导体区域，布置在所述第二半导体区域下方并且至少部分地延伸到比所述元件隔离区域更深的位置，其中所述第一半导体区域耦合到所述第一晶体管的栅极电极，其中所述第二半导体区域耦合到所述第二晶体管的栅极电极，其中所述第三半导体区域是具有与所述第一半导体区域的导电类型相反的导电类型并且耦合到所述第一电势的区域，以及其中所述第四半导体区域是具有与所述第二半导体区域的导电类型相反的导电类型并且耦合到所述第二电势的区域。