[发明专利]功率MOSFET、IGBT和功率二极管

摘要

通过深沟槽填充方式生产的超结MOSFET要求无缝填充外延生长。这可要求深沟槽的平面取向沿指定的方向对齐。具体而言，当芯片角部分的柱布图关于芯片角之间的对角线双侧不对称时，由于芯片角处的柱不对称，阻塞状态下的等势线在角部分弯曲。这往往导致等势线变得密集的点，这可引起击穿电压下降。本发明中，在诸如功率MOSFET之类的功率型半导体有源元件中，环形场板设置在围绕有源单元区等的芯片外围区中，呈现近矩形的形状。所述场板在沿着所述矩形边的部分的至少一部分中具有欧姆接触部分。然而，在对应于所述矩形的角部分的部分中，并不设置欧姆接触部分。

主权项

一种功率MOSFET，该功率MOSFET包括：(a)源极，所述源极在半导体基底的第一主表面上形成，所述半导体基底具有所述第一主表面以及第二主表面，并且呈现矩形的形状；(b)第一导电型漂移区，所述第一导电型漂移区设置在所述半导体基底的所述第一主表面侧的整个表面上的半导体表面区中；(c)有源单元区、沿所述有源单元区的每一边且在其外部设置的多个外围边区以及在所述有源单元区的每一角部分的外部设置的多个外围角区，其中所述有源单元区设置在所述第一主表面上中央部分处，在取向上与所述半导体基底相同，并且具有矩形的形状；以及(d)环形场板，所述环形场板以围绕所述有源单元区的方式设置在外围超结区中的所述第一主表面上，其中，在所述外围边区的至少一个中，所述场板在所述半导体表面区与该场板自身之间具有欧姆接触部分，并且在所述外围角区的任一个中，所述场板在所述半导体表面区与该场板自身之间不具有欧姆接触部分。