[发明专利]MOS静电保护器件有效
| 申请号： | 201210253786.9 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103579333A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS静电保护器件，包括：P型衬底上形成有P型阱，所述P型阱中形成有第一P+扩散区用作衬底接出，所述P型阱形成有第一N+扩散区构成静电保护器件的源极，所述P型阱中形成有一N型阱，所述N型阱中形成有分开的第二N+扩散区和第三N+扩散区，所述第二、第三N+扩散区与N型阱共同构成静电保护器件的漏极，所述N型阱中形成有第二P+扩散区，所述P型阱上方的第一多晶硅区构成静电保护器件的栅极，所述N型阱上方形成有第二、第三多晶硅区，第一、第三N+扩散区的一侧分别形成有一场氧化区。本发明要的MOS静电保护器件在确保器件静电保护能力的前提下省去了硅化物刻蚀掩膜版能降低MOS静电保护器件的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | mos 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种MOS静电保护器件，其特征是，包括：P型衬底上形成有P型阱，所述P型阱中形成有第一P+扩散区用作衬底接出，所述P型阱形成有第一N+扩散区构成静电保护器件的源极，所述P型阱中形成有一N型阱，所述N型阱中形成有分开的第二N+扩散区和第三N+扩散区，所述第二、第三N+扩散区与N型阱共同构成静电保护器件的漏极，所述N型阱中形成有第二P+扩散区，所述P型阱上方的第一多晶硅区构成静电保护器件的栅极，所述N型阱上方形成有第二、第三多晶硅区，第一、第三N+扩散区的一侧分别形成有一场氧化区。
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