[发明专利]与单存储列和多存储列兼容的半导体器件无效
| 申请号： | 201210251163.8 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102890959A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯广 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种与单存储列或多存储列兼容的存储器件。多个存储器层堆叠在存储器件中。存储器件响应于芯片识别信号和用于确定单存储列或多存储列的模式信号而接收地址信号和芯片选择信号。多个存储器层作为由地址信号寻址的单存储列操作，或者作为由芯片选择信号寻址的多存储列操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 兼容 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：第一存储器层；以及堆叠在第一存储器层上的第二存储器层，其中，第一存储器层和第二存储器层被配置为接收至少一个地址信号和/或至少一个芯片选择信号，而且其中，第一存储器层和第二存储器层被配置为响应于该至少一个地址信号和/或该至少一个芯片选择信号选择性地在单存储列模式下或在双存储列模式下工作。
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