[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210244923.2 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103227200A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 赵元舜;陈豪育;杨士洪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管FinFET。一种FinFET的典型结构包括：衬底，包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，自该衬底的主面向上延伸至第一高度；绝缘层，包括顶面，该绝缘层自衬底的主面向上延伸至第二高度，该第二高度小于第一高度，由此各鳍状件的部分延伸超过绝缘层的顶面；每个鳍状件被球形外延层覆盖，球形外延层限定相邻各鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，其中，作为所述腔的下部的边界的球形外延层被转化为硅化物。本发明还公开了制造鳍式场效应晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，所述衬底包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，所述第一鳍状件和所述第二鳍状件自所述衬底的所述主面向上延伸至第一高度；以及绝缘层，所述绝缘层包括顶面并且自所述衬底的所述主面向上延伸至第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此所述各鳍状件的部分延伸超过所述绝缘层的所述顶面；其中，每个所述鳍状件被球形外延层覆盖，所述球形外延层限定相邻鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，并且其中作为所述腔的所述下部的边界的所述球形外延层被转化为硅化物。
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