[发明专利]一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法

摘要

本发明公开了一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法，属于半导体器件特性物理机制评价方法技术领域。该方法在得到器件在不同温度条件下的logI—V关系曲线后，拟和分析获得logI—V关系曲线的斜率，通过对比不同温度条件下logI—V关系曲线的斜率值评价半导体器件肖特基电流输运方式。利用本发明提供的评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法能够确定半导体器件的电流输运机制，有利于更加准确地获得半导体器件的势垒高度和里察逊常数，从而，有利于对半导体器件物理机制进行更加深入的研究。

主权项

一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法，其特征在于，包括以下步骤：选取温度范围，将所述温度范围以等差数列分成温度梯度，在所述每个温度梯度上采集半导体器件肖特基特性I—V数据；根据所述I—V数据，采用数学分析软件绘制每个温度梯度上半导体器件肖特基特性I—V曲线；采用数学分析软件对所述I—V曲线进行半对数处理，获得每个温度梯度上半导体器件肖特基特性logI—V曲线；对所述logI—V曲线进行拟和分析，若所述logI—V曲线在每个温度梯度上的斜率相同，则隧道电流占主导地位；若所述logI—V曲线在每个温度梯度上的斜率具有差异，则热电子发射电流占主导地位。