[发明专利]一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法无效
| 申请号： | 201210239703.0 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102768704A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;刘新宇;郑英奎;彭铭曾;欧阳思华;李艳奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 评价 半导体器件 肖特基 电流 输运 方式 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取温度范围，将所述温度范围以等差数列分成温度梯度，在所述每个温度梯度上采集半导体器件肖特基特性I—V数据；
根据所述I—V数据，采用数学分析软件绘制每个温度梯度上半导体器件肖特基特性I—V曲线；
采用数学分析软件对所述I—V曲线进行半对数处理，获得每个温度梯度上半导体器件肖特基特性logI—V曲线；
对所述logI—V曲线进行拟和分析，若所述logI—V曲线在每个温度梯度上的斜率相同，则隧道电流占主导地位；若所述logI—V曲线在每个温度梯度上的斜率具有差异，则热电子发射电流占主导地位。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度范围是-50℃～125℃，所述温度梯度为25℃，精度为0.1℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述每个温度梯度上采集半导体器件肖特基特性I—V数据时，所述半导体器件放置于高低温探针台的载物台上，所述载物台密闭，所述载物台内充有氮气，所述载物台的温度变化范围是-50℃～200℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件是GaN基HEMT器件。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述数学分析软件是Origin。
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