[发明专利]一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件特性物理机制评价方法技术领域，特别涉及一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法。

背景技术

肖特基电流的输运方式直接影响着对器件肖特基特性的评价，也直接影响提取器件的肖特基势垒高度以及获得里察逊参数的准确度。肖特基电流的输运机制有多种，其中一个很主要的机制就是热电子发射机制，在导带中的电子只要有足够热运动的能量使它翻越势垒，就能对电流有所贡献，这就是所谓的热电子发射机制。但是，如果势垒足够薄，即使电子的能量在势垒高度之下，它也能以隧道的方式穿越势垒而到达金属，这就是所谓的隧道机制。如果势垒并不薄，但是在耗尽区中有许多缺陷，由缺陷协助的遂穿效应会成为主要的输运机制。在推导器件的势垒高度和里察逊常数时是假设电流完全由热电子发射机制来完成而得到的，所以在推导器件的势垒高度和里察逊常数这些参数之前，就需要对器件肖特基电流的输运机制进行判断。

与遂穿有关的因子E₀₀是由掺杂浓度决定的，掺杂浓度越高，势垒区越窄，遂穿效应越大，参数E₀₀也越大。

当E₀₀＜＜KT时，跨越势垒的热电子发射占主要地位，其电流表达式如下：

I=AeA*T2exp(-qφBkT)exp(qVkT)=Isexp(qVkT)---(1)]]>

当E₀₀＞＞KT时，穿透势垒的隧道机制占主要地位，其电流表达式如下：