[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括每个被配置成包括沟道对的存储块，每个所述沟道包括形成在所述存储块的管道栅中的管道沟道，以及与所述管道沟道相耦接的漏侧沟道和源侧沟道；第一缝隙，所述第一缝隙位于与其它的存储块相邻的存储块之间；以及第二缝隙，所述第二缝隙位于每个沟道对的源侧沟道和漏侧沟道之间。

主权项

一种半导体器件，包括：存储块，所述存储块每个都被配置成包括沟道，每个所述沟道包括形成在所述存储块的管道栅中的管道沟道，以及与所述管道沟道耦接的漏侧沟道和源侧沟道对；第一缝隙，所述第一缝隙位于与其它的存储块相邻的存储块之间；第二缝隙，所述第二缝隙位于每个沟道对的源侧沟道与漏侧沟道之间；以及至少一个第五缝隙，所述至少一个第五缝隙实质地位于每个所述存储块的减薄区域内，其中所述存储块包括所述沟道位于其中的单元区域，而减薄区域位于所述单元区域的两侧。