[发明专利]半导体器件的侧墙形成方法有效
| 申请号： | 201210219026.6 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103515321A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的侧墙形成方法，包括：提供半导体器件的侧墙形成前结构；在该侧墙形成前结构中的伪多晶硅栅极两侧依次形成第一氧化硅侧墙和第一氮化硅侧墙；在第一氮化硅侧墙外依次形成第二氧化硅侧墙和第二氮化硅侧墙；采用湿法刻蚀或者湿法与干法相结合的刻蚀方法，对器件表面进行刻蚀，以去除硬掩膜、部分第二氮化硅侧墙、部分第二氧化硅侧墙、部分第一氮化硅侧墙和部分第一氧化硅侧墙。与现有技术相比，本发明不会出现竖起侧翼，使得伪多晶硅栅极结构之间的空间的深宽比得以减小，且呈现顶部开口大于底部的形状，随后所沉积的层间介质层中不会产生空隙，对后期的CMP过程乃至接触孔的制造奠定了良好的条件基础。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的侧墙形成方法，其特征在于，包括：提供半导体器件的侧墙形成前结构，所述侧墙形成前结构包括：衬底，所述衬底中由浅沟槽隔离结构隔离出的NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区上形成的伪多晶硅栅极，所述伪多晶硅栅极上沉积的硬掩膜；在NMOS区和PMOS区的伪多晶硅栅极两侧依次形成第一氧化硅侧墙和第一氮化硅侧墙；在NMOS区和PMOS区的伪多晶硅栅极两侧的第一氮化硅侧墙外依次形成第二氧化硅侧墙和第二氮化硅侧墙；采用湿法刻蚀或者湿法与干法相结合的刻蚀方法，对器件表面进行刻蚀，以去除硬掩膜、部分第二氮化硅侧墙、部分第二氧化硅侧墙、部分第一氮化硅侧墙和部分第一氧化硅侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
