[发明专利]一种沟槽超结半导体装置有效
| 申请号： | 201210203620.6 | 申请日： | 2012-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN103489895B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽超结半导体装置，将超结结构引入具有绝缘层隔离的沟槽中，同时在沟槽内上部设置了PN结，使得半导体装置具有单载流子导电功能，因此具有良好高频特性；本发明还提供了一种沟槽半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽超结半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；体区，位于漂移层之上，为第二导电半导体材料，体区表面具有重掺杂接触区；多个沟槽，沟槽位于漂移层和体区中，沟槽侧壁全部设置有绝缘材料层，沟槽底部无绝缘材料层，沟槽内下部设置有第二导电半导体材料，沟槽底部第二导电半导体材料和漂移层接触，沟槽内上部设置有多晶第一导电半导体材料作为栅极；源区，临靠沟槽和体区，为杂质重掺杂第一导电半导体材料；半导体结，为PN结，位于沟槽之间漂移层表面，由漂移层半导体和体区构成。
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