[发明专利]TVS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210182946.5 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456797A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 石晶;刘冬华;钱文生;胡君;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TVS器件，该器件弃用扩散隔离，而采用高掺杂浓度的低阻衬底，衬底上方通过铟注入制作P型埋层，再进行一次低掺杂浓度外延淀积后制作N型埋层，两种埋层作重掺杂，利用两种不同类型埋层的掺杂浓度来调节瞬态电压抑制器的箝位电压，在埋层上方淀积低掺杂浓度的外延层，器件表面利用N型多晶硅和P型多晶硅引出电极，并且利用热扩散在两个表面二极管处形成浅结，降低结附近的掺杂浓度，以降低TVS器件的电容。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | tvs 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TVS器件，其特征在于：在P型低阻衬底上具有一层P型埋层，埋层上是P型外延层；在所述P型外延层中，具有N型隔离阱和P型隔离阱呈水平排布；所述N型隔离阱中，从下至上依次为重掺杂N型埋层、N型外延层及重掺杂P型区，所述重掺杂N型埋层与衬底上的P型埋层接触；在所述重掺杂P型区之上，淀积有P型多晶硅与重掺杂P型区接触，P型多晶硅之上覆盖金属硅化物；所述P型隔离阱中，从下至上依次为P型外延及重掺杂N型区，P型外延层与衬底上的P型埋层接触；在所述重掺杂N型区之上，淀积有N型多晶硅与重掺杂N型区接触，N型多晶硅之上覆盖金属硅化物；P型外延层之上有金属连线及两个接触孔，分别连接到N型阱上方的金属硅化物和P型阱上的金属硅化物以引出电极。
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