[发明专利]制造半导体器件的方法无效
申请号: | 201210167092.3 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102800602A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 关原真彦;古川正树 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;边海梅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。更具体而言,提供了如下一种技术,该技术在使用易于氧化的传导接线形成初始焊球和将初始焊球按压在焊盘上以形成经按压键合的焊球中,抑制初始焊球具有形状缺陷,从而减少对焊盘的损伤。为了实现该目的,焊球形成单元装配有用于排出抗氧化剂气体的气体出口部分,并且在与引入抗氧化剂气体进入焊球形成部分的方向不同的方向上放置通过该气体出口部分的排出路径。这种结构加宽了用于排出抗氧化剂气体的区域,从而使得可以防止从焊球形成部分的一侧表面的侧部供应的气流被与该一侧表面相对的另一侧表面反射,并且因而可以防止形成湍流。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括如下步骤:(a)制备具有在其之上安装有半导体芯片的布线板;(b)将毛细管的尖端部分放置在焊球形成单元中的焊球形成部分中;(c)在所述焊球形成部分中创建抗氧化剂氛围并且在炬用电极与从在所述焊球形成部分中的所述毛细管的尖端部分延伸的传导接线之间产生放电,从而在所述传导接线的尖端部分处形成初始焊球;以及(d)将所述初始焊球键合至在所述半导体芯片之上的焊盘,以将所述传导接线电耦合至所述半导体芯片;其中,所述焊球形成单元包括所述焊球形成部分、用于将抗氧化剂气体引入到所述焊球形成部分中的气体入口部分以及用于从所述焊球形成部分排出所述抗氧化剂气体的气体出口部分,并且其中在与将所述抗氧化剂气体引入到所述焊球形成部分中的方向不同的方向上提供所述气体出口部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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