[发明专利]一种无源超结沟槽MOS半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210148320.2 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103383953A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提出一种无源超结沟槽MOS半导体装置，通过沟槽内下部的无源第二传导类型半导体材料区，将超结结构引入到沟槽MOS结构中，本发明的一种无源超结沟槽MOS半导体装置是制造超级势垒整流器和功率MOSFET器件的基础结构，本发明还提出一种无源超结沟槽MOS半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无源 沟槽 mos 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种无源超结沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；多个沟槽，位于漂移层和体区中；多个无源第二传导类型半导体材料区，为条状第二传导类型的半导体材料，位于沟槽内下部内壁，并且不与体区相连；多个MOS结构，绝缘层位于沟槽内上部内壁表面，沟槽内填充有多晶半导体材料，并且多晶半导体材料不与无源第二传导类型半导体材料区相连，其之间为绝缘材料；多个源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和体区。
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