[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210147554.5 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103390549B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 罗军;邓坚;赵超;李俊峰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；在源漏区上淀积第一金属层；执行第一退火，使得第一金属层与源漏区反应，外延生长形成第一金属硅化物；在第一金属硅化物上淀积第二金属层；执行第二退火，使得第二金属层与第一金属硅化物及源漏区反应，形成第二金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过在源漏区上外延生长超薄的金属硅化物，减小或者消除了硅化物晶粒之间的晶界，限制了金属扩散速度和方向，从而抑制了金属硅化物的横向生长，进一步提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；在源漏区上淀积第一金属层；执行第一退火，使得第一金属层与源漏区反应，外延生长形成第一金属硅化物；在第一金属硅化物上淀积第二金属层，第二金属层的厚度大于第一金属层的厚度；执行第二退火，使得第二金属层与第一金属硅化物及源漏区反应，形成第二金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
