[发明专利]一种锗硅HBT器件及其制造方法有效
申请号: | 201210139894.3 | 申请日: | 2012-05-08 |
公开(公告)号: | CN103035688A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 刘冬华;石晶;段文婷;钱文生;胡君 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/737 | 分类号: | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/265 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种锗硅HBT器件,包括:P型硅衬底上形成有集电区,所述集电区两侧形成有赝埋层和场氧,锗硅外延层形成于所述集电区和场氧上方,隔离氧化层和多晶硅层形成于所述锗硅外延层上方,隔离侧墙形成于锗硅外延层和多晶硅层两侧,所述赝埋层通过深接触孔引出连接金属线,所述锗硅外延层、多晶硅层通过接触孔引出连接金属线;其中,所述P型硅衬底上还形成有一埋层氧化层。本发明还公开了一种锗硅HBT器件的制造方法。本发明要的锗硅HBT器件对硅衬底噪声具有隔离作用,该器件与现有锗硅HBT器件相比较能提高锗硅HBT器件自身隔离噪声特性,进而实现LNA电路的良好高频噪声指标。 | ||
搜索关键词: | 一种 hbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种锗硅HBT器件,包括:P型硅衬底上形成有集电区,所述集电区两侧形成有赝埋层和场氧,锗硅外延层形成于所述集电区和场氧上方,多晶硅层形成于所述锗硅外延层上方,隔离侧墙形成于锗硅外延层和多晶硅层两侧,所述赝埋层通过深接触孔引出连接金属线,所述锗硅外延层、多晶硅层通过接触孔引出连接金属线;其特征是:所述P型硅衬底上还形成有一埋层氧化层,该埋层氧化层位于所述集电区下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210139894.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微波感应调光控制电路
- 下一篇:加热器
- 同类专利
- 专利分类