[发明专利]侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法

摘要

一种侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法，形成侧墙的方法包括提供具有栅极结构的基底，栅极结构包括栅极、位于栅极和基底之间的栅介质层；形成第一介质层，覆盖基底和栅极结构；第一介质层为单层或叠层结构；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层对形成自对准金属硅化物块工艺中使用的刻蚀液的耐腐蚀性大于第一介质层的最外层材料对刻蚀液的耐腐蚀性；依次刻蚀第二介质层和第一介质层在栅极四周形成侧墙。本发明中形成的侧墙对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性比较大，这样可以减小在形成自对准金属硅化物块的工艺中侧墙的损失，相应的侧墙宽度增大，可以避免侧墙太小而造成的场效应晶体管失效的问题。

主权项

一种形成全氧化硅侧墙的方法，其特征在于，包括：提供具有栅极结构的基底，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极和基底之间的栅介质层；形成第一介质层，覆盖所述基底和栅极结构，所述第一介质层为单层或叠层结构；所述第一介质层的材料为氧化硅；在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性；所述第二介质层的材料为氧化硅；依次刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层在所述栅极四周形成侧墙；所述第二介质层的形成方法包括：在所述第一介质层上形成非晶硅层；热氧化所述非晶硅层，形成氧化硅层；所述热氧化的温度范围为600℃至1100℃，非晶硅层的厚度为50埃到500埃之间。