[发明专利]一种沟槽超级结MOS半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210106239.8 | 申请日： | 2012-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103367433B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省新宾*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及到一种沟槽超级结MOS半导体装置，并将超结结构通过栅极和PN结引入到半导体装置中，本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器和功率MOSFET基础结构，本发明还涉及一种沟槽超级结MOS半导体装置的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 超级 mos 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽超级结MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；多个沟槽，位于漂移层和体区中，沟槽整个内壁表面有绝缘层，同时，沟槽内整个上部填充有第一传导类型的半导体材料，为高浓度杂质掺杂多晶半导体材料作为栅电极，沟槽内下部填充有第二传导类型的半导体材料，沟槽内下部填充的第二传导类型半导体材料与漂移层和衬底层不相连，沟槽内上部多晶第一传导类型的半导体材料与沟槽内下部第二传导类型的半导体材料相连；多个源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和体区。
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