[发明专利]衬底处理装置及搬运装置无效
申请号: | 201210104814.0 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102738262A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 西谷英辅;国井泰夫;丰田一行;吉田秀成;石坂光范 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种衬底处理装置及搬运装置。本发明提供一种衬底处理装置,所述衬底处理装置用于形成CIS类太阳能电池的光吸收层,进行硒化或硫化处理,能够应对玻璃衬底的大型化。所述衬底处理装置具有:处理室,容纳多个衬底,所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜;反应管,以构成处理室的方式形成;气体供给管,向处理室中含硒元素气体或含硫元素气体;排气管,将处理室内的气体排出;加热部,以包围反应管的方式设置;及风扇,在多个玻璃衬底的表面上,使上述处理室内的气体在多个玻璃衬底的短边方向上强制对流。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 搬运 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,具有:处理室,容纳多个衬底,所述衬底形成有由铜‑铟、铜‑镓或铜‑铟‑镓中的任一种形成的层合膜;反应管,以构成所述处理室的方式形成;气体供给管,向所述处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体;排气管,将所述处理室内的气体排出;加热部,以包围上述反应管的方式设置;及风扇,在所述多个玻璃衬底的表面上,使所述处理室内的气体在所述多个玻璃衬底的短边方向上强制对流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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