[发明专利]衬底处理装置及搬运装置无效
申请号: | 201210104814.0 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102738262A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 西谷英辅;国井泰夫;丰田一行;吉田秀成;石坂光范 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 搬运 | ||
技术领域
本发明涉及一种衬底处理装置及搬运装置,特别涉及用于形成硒化物类CIS太阳能电池的光吸收层的衬底处理装置、及搬运装置。
背景技术
硒化物类CIS太阳能电池具有玻璃衬底、金属背面电极层、CIS类光吸收层、高电阻缓冲层、窗层依次层合的结构。其中,CIS类光吸收层通过将铜(Cu)/镓(Ga)、Cu/铟(In)、或Cu-Ga/ln中的任一种层合结构进行硒化而形成。如上所述,硒化物类Cls太阳能电池由于能够在不使用硅(Si)的条件下形成,所以具有能使衬底变薄、同时能降低制造成本的特征。
此处,作为进行硒化的装置的一个例子,有专利文献1。专利文献1中公开的硒化装置中,利用保持架以一定的间隔设置多个平板状的对象物,与圆筒状石英腔室的长轴方向平行且垂直于其板面,导入硒源,由此进行对象物的硒化。另外,公开了通过将风扇安装在圆筒状石英腔室的轴方向的端部,使石英腔室内的硒化源强制对流,进行玻璃衬底上的温度分布的均匀化。
专利文献1:日本特开2006-186114号公报
发明内容
如专利文献1所记载,将风扇配置在圆筒状石英腔室的轴方向的端部时,石英腔室内的气体的对流变成在石英腔室内在横向、即玻璃衬底的长边方向上流动。此处,为了降低CIS类太阳能电池的制造成本,将玻璃衬底大型化时,玻璃衬底的长边也变长。因此,升为了保持降温时的玻璃衬底的面内的温度的均匀性,需要增大对流气体的流速、或者减缓升降温的速度。前者的情况下,需要提高风扇的能力,风扇变得昂贵。另外,风扇的能力也有限制,有可能难以实现。进而,速度快的气体在多个玻璃衬底间的狭窄空间流动时,吸引玻璃衬底的力量变大,玻璃衬底有可能摇动。结果,玻璃衬底和保持架摩擦,引起产生颗粒等问题。另一方面,减小升降温的速度时,由于处理时间变长,所以生产率下降,制造成本增加。因此,玻璃衬底的大型化困难。
另外,玻璃衬底大型化时,重量也变重,难以将多个玻璃衬底搬入石英腔室内。
根据本发明的一个优选方案,提供了一种衬底处理装置,具有:处理室,容纳有多个衬底,所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓、或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜;反应管,以构成上述处理室的方式形成;气体供给管,向上述处理室内导入含硒元素气体或含硫元素气体;排气管,将上述处理室内的气体排出;加热部,以包围上述反应管的方式设置;及风扇,在上述多个玻璃衬底的表面,使上述处理室内的气体在上述多个玻璃衬底的短边方向上强制对流。
根据本发明的另一优选方案,提供了一种搬运装置,所述搬运装置将保持有多个衬底的保持盒搬运至处理室内,且具有:支承上述保持盒的支承部;固定在上述支承部上的车轮部;使上述支承部及上述车轮部一体工作的臂。
根据本发明,能够减少制造成本。
附图说明
[图1]为本发明的第1实施例的处理炉的侧面剖面图。
[图2]为从图1的纸面左方观察的处理炉的剖面图。
[图3]为本发明的保持盒410的立体图。
[图4]为说明本发明的涂膜的图。
[图5]为说明本发明的搬运保持盒410时的状态的图。
[图6]为说明本发明的搬运装置600的图。
[图7]为表示说明本发明的效果的模拟结果的图。
[图8]为表示说明本发明的效果的其他模拟模型的结构的图。
[图9]为表示说明本发明的效果的其他模拟结果的图。
[图10]为表示说明本发明的效果的其他模拟结果的图。
[图11]为本发明的第2实施方式的处理炉的侧面剖面图。
符号说明
10:处理炉、20:玻璃衬底、30:处理室、100:反应管、101:基材、102:涂膜、110:密封盖、120:集流腔、200:炉体加热部、210:盖加热部、300:气体供给管、310:排气管、400:内壁、410:保持盒、411:保持构件、412:凸缘部、420:设置台、430:第1整流板、440:第2整流板、500:电动风扇、510:扇叶部、520:旋转轴部、530:动力部、540:保护构件、600:搬运装置、601:支承部、602:升降部、603:车轮部、604:固定构件、605:臂。
具体实施方式
<第1实施方式>
以下,一边参照附图,一边说明本发明的第1实施方式。图1表示本发明的进行硒化处理的衬底处理装置中组入的处理炉10的侧面剖面图。另外,图2表示从图1的纸面左侧观察的处理炉的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的