[发明专利]屏蔽栅极MOSFET器件中的多晶硅层间电介质有效
| 申请号： | 201210072092.5 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102683390B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 迪安·E·普罗布斯特 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种屏蔽栅极MOSFET器件中的多晶硅层间电介质。在一个总体方面中，装置可以包括设置在沿半导体的外延层内的轴排列的沟槽内的屏蔽电介质以及设置在所述屏蔽电介质内且沿所述轴排列的屏蔽电极。所述装置可以包括第一多晶硅层间电介质和第二多晶硅层间电介质，其中所述第一多晶硅层间电介质具有与垂直于所述轴的面交叉的部分，其中所述面与所述屏蔽电极交叉，所述第二多晶硅层间电介质具有与所述面交叉且设置在所述第一多晶硅层间电介质和所述屏蔽电极之间的部分。所述装置还可以包括具有设置在所述第一多晶硅层间电介质上的部分的栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 栅极 mosfet 器件 中的 多晶 硅层间 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：屏蔽电介质，设置在沿轴排列且设置在半导体的外延层内的沟槽内；屏蔽电极，设置在所述屏蔽电介质内且沿所述轴排列；第一多晶硅层间电介质，所述第一多晶硅层间电介质具有与垂直于所述轴的面交叉的部分，所述面与所述屏蔽电极交叉；第二多晶硅层间电介质，所述第二多晶硅层间电介质具有与所述面交叉且设置在所述第一多晶硅层间电介质与所述屏蔽电极之间的第一部分；栅极电介质，具有设置在所述第一多晶硅层间电介质上的第一部分，所述第二多晶硅层间电介质具有直接设置在所述屏蔽电极上的第二部分且所述第二多晶硅层间电介质使用热氧化形成，所述热氧化氧化所述屏蔽电极的顶部，所述栅极电介质的所述第一部分直接设置在所述第二多晶硅层间电介质的所述第二部分上；以及栅电极，设置在所述屏蔽电极上方并且通过至少所述栅极电介质与所述屏蔽电极绝缘，所述栅极电介质具有与所述栅电极直接接触并与所述沟槽的侧壁直接接触的第二部分。
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