[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 201210069785.9 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102683387A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 大场竜二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曹瑾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器。在一个实施方式中，提供了一种半导体存储器，该半导体存储器包括：具有沟道区的半导体衬底；形成在所述沟道区上的第一隧道绝缘膜；处于所述第一隧道绝缘膜上的第一细粒层，所述第一细粒层包括第一导电细粒；处于所述第一细粒层上的第二隧道绝缘膜；处于所述第二隧道绝缘膜上的第二细粒层，所述第二细粒层包括第二导电细粒；处于所述第二细粒层上的第三隧道绝缘膜；处于所述第三隧道绝缘膜上的第三细粒层，所述第三细粒层包括第三导电细粒。所述第二导电细粒的平均颗粒直径大于所述第一导电细粒的平均颗粒直径和所述第三导电细粒的平均颗粒直径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，该半导体存储器包括：具有沟道区的半导体衬底；第一隧道绝缘膜，形成在所述半导体衬底的所述沟道区上；第一细粒层，形成在所述第一隧道绝缘膜上，所述第一细粒层包括满足库仑阻塞条件的多个第一导电细粒；第二隧道绝缘膜，形成在所述第一细粒层上；第二细粒层，形成在所述第二隧道绝缘膜上，所述第二细粒层包括满足所述库仑阻塞条件的多个第二导电细粒，其中，所述多个第二导电细粒的平均颗粒直径大于所述多个第一导电细粒的平均颗粒直径；第三隧道绝缘膜，形成在所述第二细粒层上；第三细粒层，形成在所述第三隧道绝缘膜上，所述第三细粒层包括满足所述库仑阻塞条件的多个第三导电细粒，其中，所述多个第三导电细粒的平均颗粒直径小于所述多个第二导电细粒的平均颗粒直径；第四隧道绝缘膜，形成在所述第三细粒层上；电荷存储膜，形成在所述第四隧道绝缘膜上；块绝缘膜，形成在所述电荷存储膜上；以及栅极电极，该栅极电极形成在所述块绝缘膜上。
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