[发明专利]半导体器件制造方法以及半导体器件

摘要

一种半导体器件制造方法以及半导体器件。其中半导体器件制造方法包括在形成在层间绝缘膜上的开口部的底表面和侧壁上以及位于除开口部之外的层间绝缘膜上的场部上形成包括第一金属的籽晶膜；在籽晶膜上形成抗蚀剂并用该抗蚀剂填充开口部；移除一部分抗蚀剂，同时保留在开口部的底表面上形成的籽晶膜上的抗蚀剂；暴露形成在开口部的侧壁的上部以及场部上的籽晶膜；在位于开口部的侧壁的上部上以及场部上的籽晶膜上形成包括第二金属的覆盖膜，该第二金属的电阻率高于第一金属的电阻率；通过移除抗蚀剂而暴露籽晶膜；以及在暴露的籽晶膜上形成包括第一金属的镀膜。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括：在形成在绝缘膜上的开口部的底表面和侧壁上以及除所述开口部之外的所述绝缘膜上形成包括第一金属的籽晶膜；在所述籽晶膜上形成掩膜并用所述掩膜填充所述开口部；移除一部分所述掩膜，同时保留在所述开口部的底表面上形成的所述籽晶膜上的所述掩膜，并且暴露形成在所述开口部的侧壁的上部以及除所述开口部之外的所述绝缘膜上的所述籽晶膜；在位于所述开口部的侧壁的上部上以及除所述开口部之外的所述绝缘膜上的所述籽晶膜上形成覆盖膜，所述覆盖膜包括第二金属，所述第二金属的电阻率高于所述第一金属的电阻率；通过在形成所述覆盖膜之后移除保留在所述开口部上的所述掩膜而暴露所述籽晶膜；以及在暴露的籽晶膜上形成包括所述第一金属的镀膜，其中，所述半导体器件制造方法还包括：在形成所述镀膜的步骤之后对所述镀膜执行热处理，其中在对所述镀膜执行热处理的步骤中，所述第二金属扩散进所述镀膜中，并且形成包括所述第一金属作为主要成分的掩埋布线结构。