[发明专利]光接收元件、光接收器件以及光接收模块有效

申请号：	201210065376.1	申请日：	2012-03-09
公开（公告）号：	CN102694055A	公开（公告）日：	2012-09-26
发明（设计）人：	高林和雅	申请（专利权）人：	富士通株式会社
主分类号：	H01L31/12	分类号：	H01L31/12;G02B6/42
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司 72003	代理人：	刘晓飞;张龙哺
地址：	日本国神奈***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种光接收元件、光接收器件以及光接收模块，该光接收元件包括：波导，包括波导核心；多模干涉波导，其具有的宽度大于波导的宽度，多模干涉波导被配置为在第一端处从波导核心接收第一光；以及光电探测部，包括第一半导体层以及置于第一半导体层上的吸收层，第一半导体层至少包括一层且在第二端处从多模干涉波导接收第二光，所述吸收层被置于所述第一半导体层的上方且吸收第二光。从多模干涉波导的第一端到光电探测部的第二端的距离比第一长度的70％长且比第一长度的100％短，第一长度是自成像在多模干涉波导发生之处的长度。
搜索关键词：	接收元件器件以及模块
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【主权项】：

一种光接收元件，包括：波导，包括波导核心；多模干涉波导，具有的宽度大于所述波导的宽度，所述多模干涉波导被配置为在第一端处从所述波导核心接收第一光；以及光电探测部，包括第一半导体层以及置于所述第一半导体层上的吸收层，所述第一半导体层包括至少一层且被配置为在第二端处从所述多模干涉波导接收第二光，所述吸收层被置于所述第一半导体层的上方且被配置为吸收所述第二光，其中，从所述多模干涉波导的所述第一端到所述光电探测部的所述第二端的距离比第一长度的(N‑0.3)×100％长且比所述第一长度的N×100％短，所述第一长度是自成像在所述多模干涉波导中发生之处的最短长度，N为自然数。

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摘要：本实用新型公开了基于光电器件的动态随机存取存储单元，该动态随机存取存储单元的结构主要由动态存储电路和外部光纤引线组成。其中，动态存储电路由光敏二极管、激光二极管、存储电容、放电电阻、电源组成；外部光纤引线由读/写两条光纤组成，写入光纤从光敏二极管引出，读出光纤从激光二极管引出。本实用新型通过二极管利用光电转换进行读写，并利用电容进行动态存储，相比于传统利用MOS管的动态随机存取存储单元，具有高集成度等优点，同时利用光纤作为信号连接线，具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点。

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摘要：本公开提供了一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽，其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。

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摘要：本发明的受光发光元件(1)具备：基板(2)、形成于基板(2)的上表面的发光元件(3a)、形成于基板(2)的上表面侧的受光元件(3b)、发光元件侧第一电极衬垫(31B)、接合于该第一电极衬垫(31B)的金属块(34)，发光元件侧第一电极衬垫(31B)以金属块(34)遮挡从发光元件(3a)发出且朝向受光元件(3b)的光的方式，经由绝缘层配置于基板(2)的上表面。

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摘要：受光发光元件模块(1)具备：具有上表面(2a)的基板(2)、被配置在基板(2)的上表面(2a)的发光元件(3a)、与发光元件(3a)空出间隔地配置在基板(2)的上表面(2a)的受光元件(3b)、以及与上表面(2a)空出间隔地配置在发光元件(3a)与受光元件(3b)之间且具有下表面(5c)的中间壁(5)，中间壁(5)的下表面(5c)为凸状。

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摘要：受光发光元件模块(1)具有：基板(30)；发光元件(3a)，其位于基板(30)的1个主面(30s)；受光元件(3b)，其位于基板的1个主面(30s)，且与发光元件(3a)并列配置在第1方向上；和光学元件(4)，其与基板(30)的1个主面(30s)隔开间隔地配置，并且具有与1个主面(30s)相对的第1主面(4s1)和与第1主面(4s1)相反的一侧的第2主面(4s2)，其中，光学元件(4)包含将来自发光元件(3a)的光导向被对象物的第1透镜(4a)、和将由被对象物反射的光导向受光元件(3b)的第2透镜(4b)，第1透镜(4a)和第2透镜(4b)并列配置在第1方向上，并且在第1主面(4s1)以及第2主面(4s2)当中的至少一个主面侧，构成第1透镜(4a)的曲面和构成第2透镜(4b)的曲面在其中途相互交叉。

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申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L31/12
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发明人：杨青;徐鹏飞;钱浩亮;庞陈雷;李海峰;刘旭 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本发明公开了一种偏振可控纳米光源，包括基底；位于基底上的单层石墨烯；分别设置在石墨烯边缘和基底上的第一电极和第二电极；放置在单层石墨烯上的半导体纳米带；引入激发光照射所述半导体纳米带一端的光纤，并在所述半导体纳米带另一端输出光信号；以及用于改变第一电极和第二电极间施加电压以调控输出光偏振的外加信号源。本发明还公开了具有上述偏振可控纳米光源的显微系统、光子芯片系统。本发明提供可小型化、集成化的偏振可控纳米光源，通过电信号调节石墨烯费米能级，改变其对传输光的支持状态，从而实现对半导体纳米光源输出偏振的调控。

多个孤立光耦封装结构-201720147411.2
发明人：叶建军 -专利权人：无锡天和电子有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本实用新型涉及一种多个孤立光耦封装结构，包括管座，所述管座内安装有多个孤立光耦，并通过一块内瓷片进行同时封装，在内瓷片的顶部再盖上盖板；所述管座两侧外部设置有多个引脚。本实用新型结构紧凑、合理，操作方便，通过在不改变多个孤立通道光耦封装结构尺寸的同时，通过改变管座结构，由原来使用多个内瓷片改为只使用一个内瓷片，来实现多个孤立光耦封装，更方便加工和安装。

可调节耦合器-201720112893.8
发明人：吴静云 -专利权人：合肥时运达电子科技有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L31/12
摘要：本实用新型属于光电耦合器技术领域，具体涉及一种可调节耦合器，包括壳体，所述壳体内设有支架，所述支架的一端设有第一电路板，所述支架的另一端设有与所述第一电路板水平的第二电路板，所述第一电路板与所述支架固定连接，所述第二电路板与所述支架之间设有滑轨，所述第一电路板上设有发光器和输入端，所述第二电路板上设有受光器和输出端。本实用新型具有调节方便可控的优点。

光源一体型光传感器-201380032199.X
发明人：真崎伸一;井上修二 -专利权人：青井电子株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L31/12
摘要：光源一体型光传感器具备受光部，其设置在基板上的规定区域；发光部，其设置在基板上的与受光部不同的区域；第一透光构件，其在受光部上以覆盖该受光部的方式设置；第二透光构件，其在发光部上以覆盖该发光部的方式设置；遮光构件，其设置在第一透光构件与第二透光构件之间；以及散热构件，其分别与第一透光构件、第二透光构件及遮光构件接触。

光耦合器件及其形成方法-201410077106.1
发明人：陈福成;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L31/12
摘要：一种光耦合器件及其形成方法，所述光耦合器件包括第一半导体衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；位于第一半导体衬底内且贯穿第一半导体衬底的第一表面的第一凹槽，第一凹槽的侧壁具有第一倾斜角；位于第一凹槽的侧壁和底部表面上的第一反射层；第二半导体衬底，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面；位于第二半导体衬底内且贯穿第二半导体衬底的第三表面的第二凹槽，第二凹槽的侧壁具有第二倾斜角，所述第一倾斜角与第二倾斜角互余；位于第二凹槽侧壁和底部表面上的第二反射层；第一半导体衬底的第一表面和第二半导体衬底的第三表面键合在一起，使第一凹槽与第二凹槽对应。本发明的耦合器件提高了耦合效率。

光耦合器-201310409747.8
发明人：御田村和宏;森林茂;柳沼隆太 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/12
摘要：一种光耦合器，解决了现有的光耦合器不能兼顾CMR特性以及CTR特性且制造成本高的问题。本发明的光耦合器包括输入侧引线框；输出侧引线框，与所述输入侧引线框相对且隔着间隔而配置；发光元件，安装在所述输入侧引线框中的所述输出侧引线框侧的面；受光元件，在所述输出侧引线框中的所述输入侧引线框侧的面，与所述发光元件相对且隔着间隔而安装；以及突起物，配置在所述输出侧引线框中的所述受光元件的周围的区域的至少一部分中，且由向所述输入侧引线框侧突出的导电性的接合线或者凸部构成。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]光接收元件、光接收器件以及光接收模块有效

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