[发明专利]光接收元件、光接收器件以及光接收模块

权利要求书

1.一种光接收元件，包括：

波导，包括波导核心；

多模干涉波导，具有的宽度大于所述波导的宽度，所述多模干涉波导被配置为在第一端处从所述波导核心接收第一光；以及

光电探测部，包括第一半导体层以及置于所述第一半导体层上的吸收层，所述第一半导体层包括至少一层且被配置为在第二端处从所述多模干涉波导接收第二光，所述吸收层被置于所述第一半导体层的上方且被配置为吸收所述第二光，

其中，从所述多模干涉波导的所述第一端到所述光电探测部的所述第二端的距离比第一长度的(N-0.3)×100％长且比所述第一长度的N×100％短，所述第一长度是自成像在所述多模干涉波导中发生之处的最短长度，N为自然数。

2.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中满足(N-0.3)·nr·Weff2/λ≤L≤N·nr·Weff2/λ的关系，L代表从所述多模干涉波导的所述第一端到所述光电探测部的所述第二端的距离，λ代表来自所述波导核心的所述第一光的波长，Weff代表所述多模干涉波导的有效波导宽度，nr代表所述多模干涉波导的有效折射率，N为自然数。

3.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中所述光电探测部中的所述第一半导体层的底表面的宽度大于所述多模干涉波导的宽度以及所述吸收层的宽度。

4.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中所述光电探测部中的所述吸收层的宽度小于所述多模干涉波导的宽度。

5.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中所述第一半导体层包括波导核心层和半导体层，所述波导核心层被所述波导和所述多模干涉波导共享，所述半导体层被沉积在所述波导核心层上且具有的折射率高于所述波导核心层的折射率。

6.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中所述第一半导体层是折射率高于所述波导核心的折射率的单半导体层。

7.根据权利要求1所述的光接收元件，还包括：

板状区域，置于所述多模干涉波导与所述光电探测部之间且包括波导核心层，所述波导核心层未被所述吸收层覆盖且沿所述板状区域的宽度方向延伸，

其中所述第二光从所述多模干涉波导经由所述板状区域进入所述光电探测部。

8.根据权利要求7所述的光接收元件，还包括：

包覆层，置于所述板状区域、所述波导以及所述多模干涉波导的所述波导核心层上。

9.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中所述多模干涉波导与所述光电探测部相邻，以及

其中所述第二光从所述多模干涉波导直接进入所述光电探测部的所述第一半导体层。

10.根据权利要求9所述的光接收元件，

其中所述多模干涉波导的长度大于所述第一长度的70％且小于所述第一长度的100％。

11.根据权利要求1所述的光接收元件，还包括：

第一半导体嵌入层，覆盖所述波导的侧表面以及所述多模干涉波导的侧表面；以及

第二半导体嵌入层，覆盖所述吸收层的侧表面。

12.根据权利要求8所述的光接收元件，还包括：

半导体嵌入层，覆盖所述吸收层的侧表面且覆盖所述板状区域，

其中所述半导体嵌入层具有的折射率与所述包覆层的折射率相等。

13.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中所述第一半导体层的至少一个层是第一导电类型的半导体层，以及

其中第二导电类型的导电包覆层被置于所述吸收层上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。

14.根据权利要求1所述的光接收元件，

其中所述波导和所述多模干涉波导中的每一个均具有高台面结构，所述高台面结构的侧表面未被半导体覆盖。

15.根据权利要求13所述的光接收元件，

其中所述第一导电类型的所述半导体层、所述吸收层以及所述导电包覆层形成PIN型光电二极管。