[发明专利]半导体器件和控制半导体器件的方法

摘要

提供了一种半导体器件和控制半导体器件的方法。其中半导体器件包括：存储单元，其具有可变电阻器件；以及控制单元，其控制向所述存储单元施加的电压，其中，所述可变电阻器件包括包含第一金属材料的下电极、包含第二金属材料的上电极和包含氧的绝缘膜，所述第一金属材料具有比所述第二金属材料高的标准化氧化物形成能，并且所述控制单元在增大所述绝缘膜的电阻值的操作和减小其所述电阻值的操作时，向所述上电极施加正电压，并且在读出所述绝缘膜的所述电阻值的操作时向所述下电极施加正电压。

主权项

一种半导体器件，包括：存储单元，具有可变电阻器件；以及控制单元，控制向所述存储单元施加的电压，其中，所述可变电阻器件包括包含第一金属材料的第一电极，包含第二金属材料的第二电极，以及在所述第一电极和所述第二电极之间设置的绝缘膜，所述绝缘膜包含第三金属材料和氧，所述第一金属材料具有比所述第二金属材料高的标准化氧化物形成能，并且，所述控制单元在增大所述绝缘膜的电阻值的操作和减小所述绝缘膜的所述电阻值的操作时，向所述第二电极施加正电压，并且在读出所述绝缘膜的所述电阻值的操作时向所述第一电极施加正电压。