[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括衬底、第一叠层结构、介电元件、导电线、第一导电岛与一第二导电岛。第一叠层结构形成于衬底上。第一叠层结构包括交错叠层的第一导电条纹与第一绝缘条纹。第一导电条纹是通过第一绝缘条纹分开。介电元件形成于第一叠层结构上。导电线形成于介电元件上。第一导电岛与第二导电岛形成于介电元件上。位于该第一叠层结构的相对侧面上的第一导电岛与第二导电岛互相分开。半导体结构的操作方法包括分别施加第一电压至第一导电岛，并施加第二电压至第二导电岛。

主权项

一种半导体结构的操作方法，其中，该半导体结构包括：一衬底；一第一叠层结构，形成于该衬底上，其中该第一叠层结构包括交错叠层的第一导电条纹与第一绝缘条纹，该第一导电条纹是通过该第一绝缘条纹分开；一介电元件，形成于该第一叠层结构上；一导电线，形成于该介电元件上，该导电线的延伸方向垂直于该第一叠层结构的延伸方向；以及一第一导电岛与一第二导电岛，形成于该介电元件上，其中位于该第一叠层结构的相对侧面上的该第一导电岛与该第二导电岛互相分开；该半导体结构的操作方法包括：分别施加一第一电压至该第一导电岛，并施加一第二电压至该第二导电岛。