[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的操作方法，其中，

该半导体结构包括：

一衬底；

一第一叠层结构，形成于该衬底上，其中该第一叠层结构包括交错叠层的第一导电条纹与第一绝缘条纹，该第一导电条纹是通过该第一绝缘条纹分开；

一介电元件，形成于该第一叠层结构上；

一导电线，形成于该介电元件上，该导电线的延伸方向垂直于该第一叠层结构的延伸方向；以及

一第一导电岛与一第二导电岛，形成于该介电元件上，其中位于该第一叠层结构的相对侧面上的该第一导电岛与该第二导电岛互相分开；

该半导体结构的操作方法包括：

分别施加一第一电压至该第一导电岛，并施加一第二电压至该第二导电岛。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的操作方法，其中该第一电压与该第二电压皆为正偏压。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的操作方法，其中该操作方法是使得该第一叠层结构的该第一导电条纹被选择。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的操作方法，其中被选择的该第一导电条纹被开启。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的操作方法，其中该第一电压为正偏压，该第二电压为负偏压。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的操作方法，其中该操作方法是使得该第一叠层结构的该第一导电条纹未被选择。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的操作方法，其中未被选择的该第一导电条纹被关闭。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的操作方法，其中该半导体结构更包括：

一第二叠层结构，形成于该衬底上，其中该第二叠层结构包括交错叠层的第二导电条纹与第二绝缘条纹，该第二导电条纹是通过该第二绝缘条纹分开，其中该介电元件形成于该第二叠层结构上，该导电线的延伸方向垂直于该第二叠层结构的延伸方向；以及

一第三导电岛，形成于该介电元件上，其中位于该第二叠层结构的相对侧面上的该第二导电岛与该第三导电岛互相分开；

该半导体结构的操作方法更包括：施加一第三电压至该第三导电岛。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的操作方法，其中该第一电压与该第二电压皆为正偏压，该第三电压为负偏压。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的操作方法，其中该操作方法是使得该第一叠层结构的该第一导电条纹被选择，并使得该第二叠层结构的该第二导电条纹未被选择。

11.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一叠层结构于一衬底上，其中该叠层结构包括多个导电条纹与多个绝缘条纹，该多个导电条纹是通过该多个绝缘条纹分开；

形成一介电元件于该叠层结构上；

形成多个导电线于该介电元件上，其中该多个导电线的延伸方向垂直于该叠层结构的延伸方向；以及

形成多个导电岛于该介电元件上，其中位于单一个该叠层结构的相对侧面上的该多个导电岛互相分开。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其中该多个导电线是配置于该叠层结构的侧面与上表面上，该多个导电岛的形成方法包括：

移除该导电线位于该叠层结构的上表面上的该介电元件的上表面上的部分，并留下该导电线位于该叠层结构的相对侧面上的部分以形成该多个导电岛。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其中该多个导电岛的形成方法更包括：

形成一介电层于该叠层结构上的该介电元件上与该导电在线，其中该介电层具有一平坦的上表面；

形成一图案化的掩模层于该该介电层上，其中该图案化的掩模层具有一开口，在移除该导电线的步骤中，是将该开口露出的该导电线移除，直到露出该叠层结构的上表面上的该介电元件的上表面；以及

移除该图案化的掩模层。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中该介电层的平坦的上表面是对齐或高于该叠层结构上的该介电元件的上表面与该导电线的上表面。

15.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其中位于该叠层结构中相邻近的两个之间的该导电岛具有单一材料。