[发明专利]电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底无效
| 申请号： | 201210005625.8 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102569557A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 斋藤雄 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在工序(S103)中，在n型GaN衬底(11)上生长氮化镓基半导体层(13)。在工序(S104)中，在室温下测定包含黄带波长带的波长区域及包含与氮化镓基半导体层的带边对应的带边波长的波长区域的PL光谱。在工序(S106)中，通过将黄带波长带和带边波长的光致发光光谱强度与基准值比较而挑选外延衬底，制作已经挑选的外延衬底(E1)。在工序(S107)中，在已经挑选的外延衬底(13)上形成用于电子器件的电极(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制作方法 外延 衬底 iii 氮化物 半导体 元件 氮化 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体元件，其具有肖特基结，其特征在于，具备：具有导电性的III族氮化物支撑基体；在室温下使用波长325nm的He‑Cd激光器在光斑径的直径0.5mm以及功率1.2mW的激发光的条件下测定光致发光光谱时的黄带波长带的光致发光光谱强度IY与带边波长的光谱强度IBE的强度比IY/IBE为0.05以下、且设置在所述III族氮化物支撑基体的主面上的氮化镓区域；和在所述氮化镓区域中形成肖特基结的肖特基电极。
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