[发明专利]电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底无效

申请号：	201210005625.8	申请日：	2008-07-17
公开（公告）号：	CN102569557A	公开（公告）日：	2012-07-11
发明（设计）人：	斋藤雄	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	H01L33/00	分类号：	H01L33/00;H01L21/02;H01L21/66
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	王海川;穆德骏
地址：	日本大阪***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	电子器件制作方法外延衬底 iii 氮化物半导体元件氮化
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种III族氮化物半导体元件，其具有肖特基结，其特征在于，具备：

具有导电性的III族氮化物支撑基体；

在室温下使用波长325nm的He-Cd激光器在光斑径的直径0.5mm以及功率1.2mW的激发光的条件下测定光致发光光谱时的黄带波长带的光致发光光谱强度IY与带边波长的光谱强度I_BE的强度比I_Y/I_BE为0.05以下、且设置在所述III族氮化物支撑基体的主面上的氮化镓区域；和

在所述氮化镓区域中形成肖特基结的肖特基电极。

2.一种III族氮化物半导体元件，其具有肖特基结，其特征在于，具备：

具有导电性的III族氮化物支撑基体；

设置在所述III族氮化物支撑基体的主面上、且包含具有与黄带波长带对应的能级的深能级的氮化镓区域；和

在所述氮化镓区域中形成肖特基结的肖特基电极，

所述氮化镓区域的所述深能级的浓度，是来自所述黄带波长带的所述深能级的光致发光光谱强度I_Y与所述氮化镓区域带边波长的光谱强度I_BE的强度比I_Y/I_BE为0.05的值以下，所述光致发光光谱强度I_Y与所述光谱强度I_BE，是指在室温下使用波长325nm的He-Cd激光器在光斑径的直径0.5mm以及功率1.2mW的激发光的条件下测定光致发光光谱而得到的光致发光光谱中的值。

3.如权利要求2所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，所述深能级包含与碳、氢和氧中的至少任一种杂质相关联的能级。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，所述III族氮化物支撑基体包含具有导电性的氮化镓。

5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体元件，其特征在于，

所述氮化镓区域的生长温度为1050℃以上、1200℃以下，

所述氮化镓区域的生长中V族原料与III族原料的供给摩尔比V/III为500以上。

6.一种氮化镓外延衬底，其特征在于，具备：

具有导电性的III族氮化物支撑基体；和

具有在室温下使用波长325nm的He-Cd激光器在光斑径的直径0.5mm以及功率1.2mW的激发光的条件下测定光致发光光谱时的黄带波长带的光致发光光谱与带边波长的光谱强度的强度比为0.05以下、且设置在所述III族氮化物支撑基体的主面上的特征的氮化镓区域。

7.如权利要求6所述的氮化镓外延衬底，其特征在于，所述III族氮化物支撑基体包含具有导电性的氮化镓。

8.如权利要求6或7所述的氮化镓外延衬底，其特征在于，

所述氮化镓区域的生长温度为1050℃以上、1200℃以下，

所述氮化镓区域的生长中V族原料与III族原料的供给摩尔比V/III为500以上。