[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210004802.0 | 申请日： | 2008-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102522430A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 野田耕生;佐藤奈奈绘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/02;H01L27/105;H01L27/115;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明改进了非易失性存储晶体管的电荷保持特性。用作隧穿绝缘膜的第一绝缘膜、电荷存储层和第二绝缘膜夹在半导体衬底与导电膜之间。电荷存储层由两个硅氮化物膜构成。作为下层的硅氮化物膜通过CVD方法使用NH3作为氮源气体来形成，并且所包含的N-H键的数目大于上层的N-H键的数目。作为上层的第二硅氮化物膜通过CVD方法使用N2作为氮源气体来形成，并且所包含的Si-H键的数目大于下层的Si-H键的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括非易失性半导体存储元件，所述非易失性半导体存储元件包括：包含半导体材料的半导体区，所述半导体区包括源区、漏区和沟道形成区；形成于所述半导体区之上的第一绝缘膜；形成于所述第一绝缘膜之上的第一硅氮化物膜；形成于所述第一硅氮化物膜之上的第二硅氮化物膜；以及形成于所述第二硅氮化物膜之上的导电膜，其中所述第一硅氮化物膜所含的N‑H键的数目大于所述第二硅氮化物膜所含的N‑H键的数目，其中所述第二硅氮化物膜所含的Si‑H键和Si‑X键的数目大于所述第一硅氮化物膜所含的Si‑H键和Si‑X键的数目，其中X是卤族元素。
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