[发明专利]芯片与晶片的接合方法以及三维集成半导体器件有效
申请号: | 201110410223.1 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN103165541A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 隋运奇;刘畅 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈新 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及芯片与晶片的接合方法以及三维集成半导体器件。该方法包括:在芯片背面上设置多个芯片亲水区,各芯片亲水区被芯片疏水区分隔开,对应地在晶片上设置与芯片的形状和尺寸相同的接合区域,该接合区域包括与芯片亲水区和芯片疏水区相对应的多个晶片亲水区和晶片疏水区,其中,各芯片亲水区的周长之和大于芯片周长,并且各晶片亲水区的周长之和大于接合区域周长;在多个晶片亲水区中滴入特定液体;以及将芯片预对准并放置在晶片的接合区域上,以使得每个芯片亲水区与相对应的晶片亲水区通过液体相接触。在芯片亲水区与相对应的晶片亲水区之间可以具有一定偏移。根据本发明,能够提高采用自组装技术的芯片-晶片接合的对准精度和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 芯片 晶片 接合 方法 以及 三维 集成 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种芯片与晶片的接合方法,包括:在芯片的背面上设置多个芯片亲水区,各芯片亲水区被芯片疏水区分隔开,对应地在晶片上设置与芯片的形状和尺寸相同的接合区域,该接合区域包括与所述芯片亲水区和芯片疏水区相对应的多个晶片亲水区和晶片疏水区,其中,芯片背面的各芯片亲水区的周长之和大于该芯片的周长,并且晶片的接合区域中的各晶片亲水区的周长之和大于该接合区域的周长;在所述多个晶片亲水区中滴入特定液体;以及将所述芯片预对准并放置在所述晶片的接合区域上,以使得每个芯片亲水区与相对应的晶片亲水区通过所述液体相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110410223.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:IGBT模块
- 下一篇:制作半导体器件的方法