[发明专利]超级结器件的终端保护结构有效
申请号: | 201110407746.0 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103165670A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 王飞;王永成 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种超级结器件的终端保护结构,在超级结器件的中间区域为电流流动区,所述电流流动区包含多个并行排列的电流流动区沟槽;超级结器件的终端保护结构成方形环绕于所述电流流动区的外周,超级结器件的终端保护结构包括多个短沟槽,短沟槽同所述电流流动区沟槽相分离;其中,位于电流流动区沟槽上方及下方的短沟槽平行于所述电流流动区沟槽,位于电流流动区沟槽左侧及右侧的短沟槽垂直于所述电流流动区沟槽。本申请的超级结器件的终端保护结构,能大大提高硅片面积的利用效率。 | ||
搜索关键词: | 超级 器件 终端 保护 结构 | ||
【主权项】:
一种超级结器件的终端保护结构,在超级结器件的中间区域为电流流动区,所述电流流动区包含多个并行排列的电流流动区沟槽;其特征在于,所述超级结器件的终端保护结构成方形环绕于所述电流流动区的外周,所述超级结器件的终端保护结构包括多个短沟槽,所述短沟槽同所述电流流动区沟槽相分离;其中,位于电流流动区沟槽上方及下方的短沟槽平行于所述电流流动区沟槽,位于电流流动区沟槽左侧及右侧的短沟槽垂直于所述电流流动区沟槽。
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