[发明专利]超级结器件的终端保护结构有效
| 申请号： | 201110407746.0 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165670A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王飞;王永成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 器件 终端 保护 结构 | ||
1.一种超级结器件的终端保护结构，在超级结器件的中间区域为电流流动区，所述电流流动区包含多个并行排列的电流流动区沟槽；其特征在于，
所述超级结器件的终端保护结构成方形环绕于所述电流流动区的外周，所述超级结器件的终端保护结构包括多个短沟槽，所述短沟槽同所述电流流动区沟槽相分离；
其中，位于电流流动区沟槽上方及下方的短沟槽平行于所述电流流动区沟槽，位于电流流动区沟槽左侧及右侧的短沟槽垂直于所述电流流动区沟槽。
2.根据权利要求1所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，位于方形终端保护结构四个角部的短沟槽为扇形或梯形。
3.根据权利要求1或2所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，所述电流流动区沟槽及所述短沟槽形成于掺杂硅外延层中，在所述电流流动区沟槽及所述短沟槽中填充有同掺杂硅外延层反型的掺杂硅。
4.根据权利要求3所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，所述掺杂硅外延层为P型掺杂，所述电流流动区沟槽及所述短沟槽中填充有N型掺杂硅。
5.根据权利要求3所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，所述掺杂硅外延层为N型掺杂，所述电流流动区沟槽及所述短沟槽中填充有P型掺杂硅。
6.根据权利要求3所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，
各短沟槽的长度大于所述掺杂硅外延层的厚度。
7.根据权利要求2所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，
位于电流流动区沟槽上方及下方的短沟槽等间距，位于电流流动区沟槽左侧及右侧的短沟槽等间距，位于方形终端保护结构四个角部的短沟槽等间距。
8.根据权利要求3所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，
所述短沟槽中填充的掺杂硅不接电位。
9.根据权利要求3所述的超级结器件的终端保护结构，其特征在于，
所述短沟槽中填充的掺杂硅，通过同型阱或者金属走线和电流流动区的源极相连。
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