[发明专利]源漏自对准的MOS器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201110386816.9 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569399A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;常虎东;卢力;王虹;薛百清;孙兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种源漏自对准的MOS器件及其制作方法，该源漏自对准的MOS器件包括：单晶衬底层；在该单晶衬底上形成的III-V半导体层；在该III-V半导体层上形成的欧姆接触层；在该欧姆接触层上形成的低K介质层；刻蚀该欧姆接触层与该低K介质层形成栅槽，在该栅槽中形成的由绝缘介质制作的侧墙结构；在形成侧墙结构的外延片上形成的高K栅介质层；在栅槽区域的该高K栅介质层之上形成的栅金属电极；以及以该栅金属电极为掩模刻蚀该高K栅介质层和该低K介质层露出欧姆接触层，在露出的该欧姆接触层上形成的源漏金属电极。本发明减小了源漏的寄生电阻，提高了器件的一致性，提高了器件的射频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 mos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种源漏自对准的MOS器件，其特征在于，包括：单晶衬底层(101)；在该单晶衬底(101)上形成的III‑V半导体层(102)；在该III‑V半导体层(102)上形成的欧姆接触层(103)；在该欧姆接触层(103)上形成的低K介质层(104)；刻蚀该欧姆接触层(103)与该低K介质层(104)形成栅槽，在该栅槽中形成的由绝缘介质制作的侧墙结构(105)；在形成侧墙结构(105)的外延片上形成的高K栅介质层(106)；在栅槽区域的该高K栅介质层(106)之上形成的栅金属电极(107)；以及以该栅金属电极(107)为掩模刻蚀该高K栅介质层(106)和该低K介质层(104)露出欧姆接触层(103)，在露出的该欧姆接触层(103)上形成的源漏金属电极(108)。
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