[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110380365.8 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102610639A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 末川英介;折附泰典;樽井阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n-漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：主晶体管单元，包括在半导体层上配设的多晶硅的栅极电极以及在所述半导体层的上部形成的杂质区域即源极区域；层间绝缘膜，覆盖所述栅极电极上；含有铝的源极电极，与所述源极区域连接并且在所述层间绝缘膜上延伸；含有铝的栅极焊盘，与所述栅极电极连接；以及阻挡金属层，分别介于所述源极电极与所述层间绝缘膜之间以及所述栅极焊盘与所述栅极电极之间，抑制铝的扩散。
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