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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置的测定方法-CN201680088683.8有效
  • 大久野幸史;鹿间省三;樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2016-09-01 - 2023-08-25 - H01L21/66
  • 本发明涉及以下技术，即，在对半导体装置施加高电压的测试时，为了防止损伤波及到探针，对在探针的附近产生点破坏进行抑制。在半导体装置的测定方法中，半导体装置具备：半导体衬底(1)；外延层(2)；至少1个第2导电型的第2导电型区域(3)，其在外延层的表层具有轮廓而局部地形成；肖特基电极(11)；阳极电极(12)；以及阴极电极(13)。使探针(21)与俯视观察时位于形成至少1个第2导电型区域的轮廓的范围内的阳极电极的上表面接触，施加电压。
  • 半导体装置测定方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080102138.6在审
  • 樽井阳一郎;藤原伸夫;田中贵规 - 三菱电机株式会社
  • 2020-06-24 - 2023-05-02 - H01L29/78
  • 本公开涉及使用超级结构造的半导体装置，具备：第1导电类型的半导体基体；柱体部，具有在所述半导体基体上以向所述半导体基体的厚度方向突出的方式设置的第1导电类型的多个第1柱体以及第2导电类型的多个第2柱体；第1导电类型或者第2导电类型的柱体周边部，设置于所述柱体部的周围；以及半导体元件，将所述柱体部设置为活性区域，所述多个第1以及第2柱体具有条纹状的俯视时形状，在与各自的长度方向正交的柱体宽度方向上以并列的方式交替排列。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201680089391.6有效
  • 折附泰典;樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2016-09-23 - 2022-07-29 - H01L29/78
  • 本发明涉及碳化硅半导体装置，该碳化硅半导体装置具备：第2导电型的第3杂质区域，其配置于外周区域，该外周区域为配置单位单元的单元配置区域的外周；场绝缘膜，其配置于外周区域，比栅极绝缘膜厚；层间绝缘膜，其配置于场绝缘膜、栅极电极及栅极绝缘膜之上；第1主电极，其配置于层间绝缘膜之上；以及栅极配线及栅极焊盘，它们经由配置于场绝缘膜之上的栅极电极而彼此电连接，第3杂质区域具有选择性地设置于其上层部并与第3杂质区域相比杂质浓度高的第2导电型的第4杂质区域，栅极配线及栅极焊盘设置于外周区域，第4杂质区域与单元配置区域相邻地设置，并且该第4杂质区域以至少将栅极焊盘的下方的区域包围的方式设置，与第1主电极电连接。
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201811116887.5有效
  • 富永贵亮;高木保志;樽井阳一郎;日野史郎 - 三菱电机株式会社
  • 2018-09-21 - 2022-02-25 - H01L29/16
  • 本发明的目的在于提供能够抑制栅极和源极的短路的碳化硅半导体装置。特征在于具备：碳化硅半导体基板，其具有在漂移层的一部分表层部形成的p型阱区域；绝缘膜，其设置于该阱区域之上；栅极内置电阻，其是由在该绝缘膜之上与该绝缘膜接触的多晶硅形成的；层间绝缘膜，其形成于该栅极内置电阻之上；栅极接触配线，其与栅极焊盘连接，形成于该层间绝缘膜之上；栅极配线，其在该层间绝缘膜之上，与该栅极接触配线分离地设置；第1栅极接触部，其将该栅极接触配线和该栅极内置电阻电连接；以及第2栅极接触部，其将该栅极配线和该栅极内置电阻电连接。
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]电力用半导体装置-CN201580077932.9有效
  • 樽井阳一郎;谷冈寿一;折附泰典 - 三菱电机株式会社
  • 2015-03-18 - 2020-10-20 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种电力用半导体装置，其具有：第1导电型的碳化硅半导体层；开关器件，其形成于碳化硅半导体层；第2导电型的电场缓和杂质区域，其形成于开关器件的形成区域的终端部，对终端部的电场进行缓和；以及第1导电型的附加区域，其设置于构成开关器件的多个单位单元的第2导电型的阱区域间以及至少所述电场缓和杂质区域的外侧，与碳化硅半导体层相比杂质浓度更高。
  • 电力半导体装置
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201480080201.5有效
  • 高木保志;樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2014-06-27 - 2019-11-01 - H01L29/78
  • 本发明能够一边抑制短路耐量的降低，一边降低导通电阻。本发明具有SiC外延层(2)、阱区域(3)、源极区域(4)、沟道电阻调整区域(6)、栅极电极(7)、层间绝缘膜(9)、源极电极(10)、以及漏极电极(12)。沟道电阻调整区域(6)是在阱区域(3)的表层被源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着而形成的。沟道电阻调整区域(6)是，在与由源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着沟道电阻调整区域(6)的方向相交叉的方向，间断地形成第1杂质区域的区域。
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201380080266.5有效
  • 樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2013-10-17 - 2018-12-21 - H01L29/78
  • 本发明提供一种碳化硅半导体装置，其减小沟道电阻、并且提高栅极绝缘膜的可靠性。本发明具有：沟槽(3)，其局部地形成于外延层(2)表层；阱层(4)，其沿沟槽的侧面及底面形成；源极区域(5)，其形成于沟槽的底面处的阱层表层；栅极绝缘膜(7)；以及栅极电极(8)。栅极绝缘膜沿沟槽的侧面形成，且一端形成至源极区域。栅极电极沿沟槽的侧面形成，且形成于栅极绝缘膜之上。
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201510217654.4有效
  • 田所千广;樽井阳一郎;大久野幸史 - 三菱电机株式会社
  • 2015-04-30 - 2018-11-02 - H01L29/47
  • 本发明提供能够使切换时产生的电场集中缓和的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备：第一导电型的碳化硅半导体层；场绝缘膜，其形成于碳化硅半导体层的表面上；肖特基电极，其在碳化硅半导体层的表面上形成为比场绝缘膜靠内周侧，并且形成为攀升至场绝缘膜；表面电极，其将肖特基电极覆盖，越过肖特基电极的外周端而在场绝缘膜上延伸；以及第二导电型的终端阱区域，其在碳化硅半导体层内的上部形成为与肖特基电极的一部分相接，在碳化硅半导体层内比表面电极的外周端向外周侧延伸，表面电极的外周端存在于比终端阱区域的外周端向内侧大于或等于15μm处。
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201410432842.4有效
  • 樽井阳一郎;今泉昌之;油谷直毅 - 三菱电机株式会社
  • 2014-08-28 - 2018-09-11 - H01L29/47
  • 由于在肖特基电极的外周端处存在的前端尖锐形状的蚀刻残渣，易于在SBD高频开关动作时由于位移电流而在上述残渣部处引起电场集中。本发明的碳化硅半导体装置具有：第1导电型的漂移层(1b)；在漂移层(1b)中形成的第2导电型的保护环区域(2)；以将保护环区域(2)包围的方式形成的场绝缘膜(3)；肖特基电极(4)，其以在保护环区域(2)的内侧将在表面露出的漂移层(1b)和保护环区域(2)覆盖的方式形成，其外周端存在于场绝缘膜(3)上；以及在肖特基电极(4)上形成的表面电极焊盘(5)，表面电极焊盘(5)的外周端越过肖特基电极(4)的外周端而与所述场绝缘膜(3)接触。
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201410216921.1有效
  • 末川英介;折附泰典;樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2011-11-25 - 2017-11-17 - H01L29/45
  • 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n‑漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201410325571.2有效
  • 鹿口直斗;樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2014-07-09 - 2017-08-29 - H03K17/08
  • 本发明得到一种半导体装置，其使宽带隙半导体元件的温度检测功能正常地运转，并且实现了成本降低以及组装性的提高。以从光纤(20)的入射面(30)入射宽带隙半导体元件形成部(1)的半导体激活部(12)发光时的出射光，经由光纤(20)从出射面(40)由光电二极管(3)接收所述出射光的方式，在宽带隙半导体元件形成部(1)的半导体激活部(12)和光电二极管(3)之间设置光纤(20)。具体地说，将光纤(21)的入射面(30)配置为与宽带隙半导体元件形成部(1)的侧面部相对，使宽带隙半导体元件发光时的出射光入射至该光纤(21)的入射面(30)。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410067436.2有效
  • 谷冈寿一;樽井阳一郎;小林和雄;结城秀昭;濑户口阳介 - 三菱电机株式会社
  • 2014-02-26 - 2017-06-16 - H01L21/324
  • 本发明用于在利用分批式装置以将假基板和多个处理基板彼此隔开间隔而层叠的状态进行热处理的情况下，抑制与假基板接近的处理基板形成不同于其他处理基板的电气特性这一情况。本发明的半导体装置的制造方法具有下述工序（b）在假基板的背面和多个半导体基板的背面形成无机膜的工序，该无机膜具有可承受热氧化处理或热处理的温度，使氧化或还原气体种到达假基板及所述多个半导体基板背面的量足够少的膜厚；（c）将假基板和多个半导体基板以正面朝向相同方向并彼此隔开间隔而层叠的方式配置的工序；以及（d）在工序（b）及（c）之后，在氧化气体气氛或还原气体气氛内对半导体基板的正面进行热氧化处理或后退火的工序。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201610222047.1在审
  • 末川英介;折附泰典;樽井阳一郎 - 三菱电机株式会社
  • 2011-11-25 - 2016-06-22 - H01L29/45
  • 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n-漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。
  • 碳化硅半导体装置
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