[发明专利]一种具有绝缘层隔离的超结结构半导体晶片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110376207.5 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137684A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有绝缘层隔离的超结结构的半导体晶片及其制备方法，工艺上较容易控制P型半导体和N型半导体区域的柱状结构，在PN结的结合面和隔离面易形成理想的垂直于半导体晶片结构，因此在加反向偏压发生电荷互补时，能够提供一种电场在耗尽层中较理想均匀扩展的超结半导体晶片，提高了器件电参数特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 绝缘 隔离 结构 半导体 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有绝缘层隔离的超结结构半导体晶片，其特征在于：包括：衬底层，一种导电类型半导体材料；多个第一半导体层，相互分离设置在衬底层之上，为第一种导电类型半导体材料；多个第二半导体层，相互分离设置在衬底层之上，且与第一半导体层交替放置，为第二种导电类型半导体材料；垂直晶片方向上的一个或多个相互分离的绝缘介质层，位于第一半导体层与第二半导体层之间部分区域，为绝缘介质材料。
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