[发明专利]一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201110376201.8 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137710A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 朱江;盛况 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置，通过多种绝缘层结构改变漂移区的电场强度分布，提高了器件的反向电压阻断特性；本发明还提供一种制备方法，可以实现两次光刻工艺实现器件的生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多种 绝缘 隔离 沟槽 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽位于第一导电半导体材料表面；沟槽内壁的表面设置有半导体氧化物材料；沟槽内壁底部的半导体氧化物材料表面设置有绝缘材料；沟槽之间第一导电半导体材料上部为肖特基势垒结；沟槽内填充有第二导电半导体材料；半导体装置表面和背部区域覆盖有金属层。
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