[发明专利]制造半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201110350755.0 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102456792A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 许元九;申永澈;金起范;崔丞佑 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：通过在基底上顺序地生长n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层来形成发光结构；通过溅射工艺在p型氮化物半导体层上形成透明电极；在溅射工艺之前或者在溅射工艺过程中，在执行溅射工艺的反应室的内部形成氮气气氛。在根据本发明的实施例获得的半导体发光器件的情况下，可以在通过溅射工艺制造透明电极的过程中，使因氮空位造成的电极特性的劣化现象最小化，从而能够提供具有明显改善的电学特性的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：通过在基底上顺序地生长n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层来形成发光结构；通过溅射工艺在p型氮化物半导体层上形成透明电极；在溅射工艺之前或者在溅射工艺过程中，在执行溅射工艺的反应室的内部形成氮气气氛。
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