[发明专利]半导体器件拾取装置有效
| 申请号： | 201110347306.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103094167A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 龚平;孙宏伟;王建新 | 申请（专利权）人： | 无锡华润安盛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李家麟;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的拾取装置，它包含：吸气管以及与吸气管相连的吸嘴。其中，吸嘴呈中空结构，并且吸嘴的壁含有多组吸气孔，通过吸气孔，吸气管和吸嘴相通，从而在抽气装置抽气时，吸气管和吸嘴中相对于外界气压形成负压，以实现对半导体器件的吸附作用并进而拾取半导体器件。采用本发明的半导体器件拾取装置，可以大大减小污染、降低半导体器件制造过程中由于拾取而造成的损伤，从而大大提高半导体器件的完好率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 拾取 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件拾取装置，包含：吸气管，与一抽气装置相连；以及吸嘴，与所述吸气管相连，其中，所述吸嘴呈中空结构，并且所述吸嘴的壁含有多组吸气孔，通过所述吸气孔，所述吸气管和吸嘴相通，从而在所述抽气装置抽气时，所述吸气管和吸嘴中相对于外界气压形成负压，以实现对半导体器件的吸附作用并进而拾取所述半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
