[发明专利]半导体器件拾取装置

说明书

技术领域

本发明涉及拾取装置，本发明尤其涉及一种半导体器件的拾取装置。

背景技术

众所周知，在半导体器件制造过程中，经常需要在一道工序完成以后，将所涉及的半导体器件从一个制造平台拾取到下一个制造平台，以便进行下一道加工工序。

由于半导体器件是精细元器件，对半导体器件的拾取通常要求污染小、损伤小以及完好率高。

但是，现有技术的半导体拾取装置无法满足这一要求。

发明内容

本发明提供了一种半导体器件的拾取装置，它包含：吸气管，与一抽气装置相连；以及吸嘴，与吸气管相连。其中，吸嘴呈中空结构，并且吸嘴的壁含有多组吸气孔，通过吸气孔，吸气管和吸嘴相通，从而在抽气装置抽气时，吸气管和吸嘴中相对于外界气压形成负压，以实现对半导体器件的吸附作用并进而拾取半导体器件。

采用本发明的半导体器件拾取装置，可以大大减小污染、降低半导体器件制造过程中由于拾取而造成的损伤，从而大大提高半导体器件的完好率。

附图说明

图1是本发明的半导体器件拾取装置的侧视图；

图2是本发明的半导体器件拾取装置的俯视图。

其中，

标号1为吸气管；

标号2为吸嘴；而

标号3为吸气孔。

具体实施方式

下面参照附图，说明本发明半导体器件拾取装置的结构。

如图1所示，本发明的半导体器件拾取装置由吸气管1和吸嘴构成2。吸气管1和吸嘴2相通，而吸气管1与外界抽气装置(图中未示出)相连，以确保吸气管1以及吸嘴2中相对于外界保持在负压状态，从而实现对半导体器件的吸附和拾取。

图2示出的是吸嘴2的具体结构。图2中示出的吸嘴2呈环状椭圆形，在环状结构的上、下、左、右处，对称、均匀地分布着多组细小的吸气孔。由于吸嘴2与吸气管是相通的，而吸气管与外界抽气装置相连，因而实际上对半导体器件的吸附是通过吸嘴上分布的细小吸气孔进行抽吸所涉及的半导体器件来实现的。

吸气孔在吸嘴上的分布应当尽量均匀，从而确保在抽气状态下产生大致均匀的吸附力，以吸附所涉及的半导体器件。

吸气孔的数量没有特别的限制，本发明的一种实施例中，采用每组吸气孔50至100个。

由于吸嘴是与所吸附的半导体器件直接接触的部分，因而为了确保被吸附的半导体器件不会被吸嘴上的吸气孔边沿划伤，吸气孔边沿应当做得具有相当精度。

吸嘴可以由聚醚醚酮(PEEK)制成。这是因为PEEK材料具有耐高温、耐冲击、阻燃、耐酸碱、耐磨以及良好的电性能的特性。当然，吸嘴也可以用其它材料制成，只要这种材料具有耐高温、耐冲击、阻燃、耐酸碱、耐磨以及良好的电性能等特性即可。

另外，图2所示本发明一种实施例的吸嘴呈环状椭圆形状。环状几何形状可以使得吸嘴与被吸半导体器件的接触面积最小，以最大限度地保护半导体器件不被损伤。

例如，当被吸附的半导体器件是晶圆片时，通常希望在确保足够的吸附力的前提下，吸嘴与晶圆片的接触面积越小越好。因此，此时就可以采用环状几何形状。

而在其它的实施例中，吸嘴也可以呈其它的几何形状，例如呈圆盘形状、椭圆盘状、环状圆形，等等。

理论上说，吸嘴也可以呈三角形、梯形等几何形状。但是，因为这些几何形状带有棱角，在拾取半导体器件特别是拾取晶圆片时会损伤所拾取的半导体器件，因此，通常建议吸嘴不要采用带有棱角的几何形状。

为了便于操作方便，吸气管与吸嘴可以呈一定的角度。在本发明一种实施例的半导体器件拾取装置中，吸气管与吸嘴的角度取20度左右。也可以将吸气管与吸嘴的角度制成通过一调节装置(图中未示出)是可调节的。这样操作者可以根据所需吸附和拾取的半导体器件以及具体的操作要求来调节吸气管与吸嘴之间的角度。

采用本发明的半导体器件拾取装置，可以有效地防止吸附过程中半导体器件表面的沾污和擦伤。如果所拾取的半导体器件是晶圆片，则本发明的装置可以大大降低晶圆片由于拾取方法或采用的拾取装置的不当而造成的碎片率。

上文中，参照附图描述了本发明的具体实施例。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的原理和精神的情况下，还可以对本发明的上述实施例作某些修改和变更。实施例的描述仅仅是为了使本领域中的普通技术人员能够理解、实施本发明，不应当将本发明理解仅仅限于这些实施例。本发明的保护范围由权利要求书所限定。